IPP230N06L3 G
工場モデル | IPP230N06L3 G |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 |
パッケージ | PG-TO220-3 |
株式 | 5954 pcs |
データシート | IPB,IPP230N06L3 GPart Number GuideCoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008Multiple Devices 30/Aug/2013 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 11µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 23mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大) | 36W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1600 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Tc) |
基本製品番号 | IPP230N |
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